IXFK64N60P3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXFK64N60P3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для IXFK64N60P3
IXFK64N60P3 Datasheet (PDF)
ixfk64n60p ixfx64n60p.pdf
IXFK 64N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFX 64N60P ID25 = 64 A Power MOSFET RDS(on) 96 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VGSS Contin
ixfk64n50p ixfx64n50p.pdf
IXFK 64N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFX 64N50P ID25 = 64 A Power MOSFET RDS(on) 85 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS Continuo
ixfh60n25q ixfk60n25q ixft60n25q.pdf
Advanced Technical Information IXFH 60N25Q HiPerFETTM VDSS = 250 V IXFK 60N25Q Power MOSFETs ID25 = 60 A IXFT 60N25Q Q-Class RDS(on) = 47 mW trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 250
Другие MOSFET... IXFK520N075T2 , IXFK52N60Q2 , IXFK55N50F , IXFK60N55Q2 , IXFK62N25 , IXFK64N50P , IXFK64N50Q3 , IXFK64N60P , 7N65 , IXFK64N60Q3 , IXFK66N50Q2 , IXFK73N30Q , IXFK74N50P2 , IXFK78N50P3 , IXFK80N15Q , IXFK80N50P , IXFK80N50Q3 .
