Справочник MOSFET. IXFK80N15Q

 

IXFK80N15Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFK80N15Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0225 Ohm
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для IXFK80N15Q

 

 

IXFK80N15Q Datasheet (PDF)

 7.1. Size:100K  ixys
 ixfk72n20 ixfk80n20.pdf

IXFK80N15Q IXFK80N15Q

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK72N20 200 V 72 A 35 mWPower MOSFETsIXFK80N20 200 V 80 A 30 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 AAVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 VGVGS Continuous 20 V(TAB)DSVGSM Transient 30 VID25

 7.2. Size:70K  ixys
 ixfh80n20q ixfk80n20q ixft80n20q.pdf

IXFK80N15Q IXFK80N15Q

IXFH 80N20QHiPerFETTMVDSS = 200 VIXFK 80N20QPower MOSFETs ID25 = 80 AIXFT 80N20QQ-Class RDS(on) = 28 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transi

 7.3. Size:230K  ixys
 ixfk80n50p ixfx80n50p.pdf

IXFK80N15Q IXFK80N15Q

IXFK 80N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 80N50P ID25 = 80 APower MOSFET RDS(on) 65 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSM Transient

 7.4. Size:211K  ixys
 ixfh80n65x2 ixfk80n65x2.pdf

IXFK80N15Q IXFK80N15Q

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFH80N65X2Power MOSFET ID25 = 80AIXFK80N65X2 RDS(on) 38m TO-247 (IXFH)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeGDSD (Tab)TO-264P (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous

Другие MOSFET... IXFK64N50Q3 , IXFK64N60P , IXFK64N60P3 , IXFK64N60Q3 , IXFK66N50Q2 , IXFK73N30Q , IXFK74N50P2 , IXFK78N50P3 , IRFP250N , IXFK80N50P , IXFK80N50Q3 , IXFK80N60P3 , IXFK88N20Q , IXFK88N30P , IXFK94N50P2 , IXFK98N50P3 , IXFL100N50P .

 

 
Back to Top