Справочник MOSFET. IXFL38N100P

 

IXFL38N100P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFL38N100P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 6.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 350 nC
   trⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS I5PAK

 Аналог (замена) для IXFL38N100P

 

 

IXFL38N100P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:116K  ixys
 ixfl34n100.pdf

IXFL38N100P IXFL38N100P

IXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VIXFL 34N100 VDSS = 1000 VHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsHiPerFETTM Power MOSFETsID25 = 30 AID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TM ID25 = 30 AISOPLUS264TMISOPLUS264TM

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top