IXFL44N100P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXFL44N100P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUS264
Аналог (замена) для IXFL44N100P
IXFL44N100P Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие MOSFET... IXFL30N120P , IXFL32N120P , IXFL34N100 , IXFL36N110P , IXFL38N100P , IXFL38N100Q2 , IXFL39N90 , IXFL40N110P , IRFB3607 , IXFL44N60 , IXFL44N80 , IXFL60N60 , IXFL60N80P , IXFL70N60Q2 , IXFL80N50Q2 , IXFL82N60P , IXFN100N10S1 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400

