Справочник MOSFET. IXFN20N120

 

IXFN20N120 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFN20N120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 780 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
   trⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXFN20N120

 

 

IXFN20N120 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:203K  ixys
 ixfn200n06.pdf

IXFN20N120 IXFN20N120

!VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mWPower MOSFETsIXFN 180 N07 70 V 180 A 7 mWIXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mWN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrtrr 250 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150

 8.2. Size:94K  ixys
 ixfn200n06 ixfn200n07.pdf

IXFN20N120 IXFN20N120

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mPower MOSFETsIXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, High dv/dt, Low trrSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C N07 70 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS

 8.3. Size:190K  ixys
 ixfn180n07 ixfn200n07 ixfn200n06.pdf

IXFN20N120 IXFN20N120

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mWPower MOSFETsIXFN 180 N07 70 V 180 A 7 mWIXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mWN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrtrr 250 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C N07 70 VN06 60 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW N07 70 VGN06

 8.4. Size:86K  ixys
 ixfn200n10p.pdf

IXFN20N120 IXFN20N120

VDSS = 100 VIXFN 200N10PPolarTM HiPerFETID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement Modetrr 150 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)Symbol Test Conditions Maximum RatingsE153432SVDSS TJ = 25C to 175C 100 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGS C

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top