Справочник MOSFET. IXFN20N120

 

IXFN20N120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFN20N120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 780 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B
 

 Аналог (замена) для IXFN20N120

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFN20N120 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:203K  ixys
ixfn200n06.pdfpdf_icon

IXFN20N120

!VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mWPower MOSFETsIXFN 180 N07 70 V 180 A 7 mWIXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mWN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrtrr 250 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150

 8.2. Size:94K  ixys
ixfn200n06 ixfn200n07.pdfpdf_icon

IXFN20N120

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mPower MOSFETsIXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, High dv/dt, Low trrSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C N07 70 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS

 8.3. Size:190K  ixys
ixfn180n07 ixfn200n07 ixfn200n06.pdfpdf_icon

IXFN20N120

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFN 200 N06 60 V 200 A 6 mWPower MOSFETsIXFN 180 N07 70 V 180 A 7 mWIXFN 200 N07 70 V 200 A 6 mWN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrtrr 250 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C N07 70 VN06 60 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW N07 70 VGN06

 8.4. Size:86K  ixys
ixfn200n10p.pdfpdf_icon

IXFN20N120

VDSS = 100 VIXFN 200N10PPolarTM HiPerFETID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 7.5 m N-Channel Enhancement Modetrr 150 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)Symbol Test Conditions Maximum RatingsE153432SVDSS TJ = 25C to 175C 100 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGS C

Другие MOSFET... IXFN140N20P , IXFN140N25T , IXFN140N30P , IXFN160N30T , IXFN170N30P , IXFN180N15P , IXFN180N25T , IXFN200N10P , AON6380 , IXFN20N120P , IXFN210N20P , IXFN21N100Q , IXFN22N120 , IXFN230N20T , IXFN23N100 , IXFN240N15T2 , IXFN24N100F .

History: CMUDM7004 | SI1441EDH | NCE65N330K | AP3989R | MIC94053YC6TR | 2SK2329S

 

 
Back to Top

 


 
.