IXFN34N100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFN34N100  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 694 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: SOT227B

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFN34N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFN34N100 даташит

 ..1. Size:570K  ixys
 ixfn34n100.pdf pdf_icon

IXFN34N100

IXFN 34N100 VDSS = 1000V HiPerFETTM ID25 = 34A Power MOSFETs RDS(on) = 0.28 Single Die MOSFET D N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr G S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V G VGS Continuous 20 V VGSM Tran

 7.1. Size:128K  ixys
 ixfn34n80.pdf pdf_icon

IXFN34N100

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFN 34N80 VDSS = 800 V Single DieMOSFET ID25 = 34 A RDS(on) = 0.24 W N-Channel Enhancement Mode D Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr trr 250 ns Preliminary data sheet S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 800 V G VGS Continuous 20 V VGSM Transi

 8.1. Size:104K  ixys
 ixfn340n07.pdf pdf_icon

IXFN34N100

HiPerFETTM IXFN 340N07 VDSS = 70 V Power MOSFETs ID25 = 340 A Single Die MOSFET RDS(on) = 4 m D trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C70 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 70 V G VGS Co

 9.1. Size:192K  ixys
 ixfk32n60 ixfn32n60 ixfk36n60 ixfn36n60.pdf pdf_icon

IXFN34N100

IXFK 32N60 IXFN 32N60 IXFK 36N60 IXFN 36N60 Preliminary Data VDSS ID25 RDS(on) trr IXFK/FN 36N60 600V 36A 0.18 250ns HiPerFETTM Power MOSFET IXFK/FN 32N60 600V 32A 0.25 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFN30N120P, IXFN320N17T2, IXFN32N100P, IXFN32N100Q3, IXFN32N120, IXFN32N120P, IXFN32N80P, IXFN340N06, 60N06, IXFN360N10T, IXFN360N15T2, IXFN36N110P, IXFN38N100P, IXFN38N100Q2, IXFN38N80Q2, IXFN40N110P, IXFN40N90P