2N6770JANTX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N6770JANTX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 120 nC
trⓘ - Время нарастания: 190 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO204
Аналог (замена) для 2N6770JANTX
2N6770JANTX Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... 2N6768 , 2N6768JAN , 2N6768JANTX , 2N6768JANTXV , 2N6768JTX , 2N6768JTXV , 2N6769 , 2N6770 , STP65NF06 , 2N6770JANTXV , 2N6770JTX , 2N6770JTXV , 2N6781 , 2N6781LCC4 , 2N6781-SM , 2N6782 , 2N6782JANTX .
