Справочник MOSFET. IXFN44N80Q3

 

IXFN44N80Q3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFN44N80Q3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 780 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFN44N80Q3 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:138K  ixys
 ixfn44n80.pdf pdf_icon

IXFN44N80Q3

IXFN 44N80 VDSS = 800 VHiPerFETTMID25 = 44 APower MOSFETsRDS(on) = 0.165 Single MOSFET DieDN-Channel Enhancement ModeGAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)VDSS TJ = 25C to 150C 800 V E153432SVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VGVGS Continuous 20 VVGSM Tran

 7.1. Size:162K  ixys
 ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf pdf_icon

IXFN44N80Q3

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

 7.2. Size:128K  ixys
 ixfn44n60.pdf pdf_icon

IXFN44N80Q3

HiPerFETTMIXFN 44N60 VDSS = 600 VPower MOSFETsID25 = 44 ASingle Die MOSFET RDS(on) = 130 mWDtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeGAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSSSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 BE153432VDSS TJ = 25C to 150C 600 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 VGVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VSI

 7.3. Size:108K  ixys
 ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf pdf_icon

IXFN44N80Q3

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETsIXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFK)IXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 500 500 VVDGR TJ = 25C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STW32N55M5 | ME25N06 | KF6N60I | APTM100H45SCTG | FDG6301N | SI4913DY | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.