IXFN44N80Q3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFN44N80Q3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 780 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: SOT227

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFN44N80Q3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFN44N80Q3 даташит

 5.1. Size:138K  ixys
 ixfn44n80.pdf pdf_icon

IXFN44N80Q3

IXFN 44N80 VDSS = 800 V HiPerFETTM ID25 = 44 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.165 Single MOSFET Die D N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V E153432 S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V G VGS Continuous 20 V VGSM Tran

 7.1. Size:162K  ixys
 ixfn44n50 ixfk44n50 ixfn48n50 ixfk48n50.pdf pdf_icon

IXFN44N80Q3

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

 7.2. Size:128K  ixys
 ixfn44n60.pdf pdf_icon

IXFN44N80Q3

HiPerFETTM IXFN 44N60 VDSS = 600 V Power MOSFETs ID25 = 44 A Single Die MOSFET RDS(on) = 130 mW D trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 600 V G VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V S I

 7.3. Size:108K  ixys
 ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf pdf_icon

IXFN44N80Q3

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFN38N80Q2, IXFN40N110P, IXFN40N90P, IXFN420N10T, IXFN44N100P, IXFN44N100Q3, IXFN44N50Q, IXFN44N80P, IRF640, IXFN48N50Q, IXFN48N50U2, IXFN48N55, IXFN48N60P, IXFN50N80Q2, IXFN520N075T2, IXFN52N90P, IXFN56N90P