IXFN80N48 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFN80N48 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFN80N48
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 694 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 480 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXFN80N48

 

IXFN80N48 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:157K  ixys
ixfn80n50p.pdfpdf_icon

IXFN80N48

IXFN 80N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 66 A Power MOSFET RDS(on) 65 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V S

 7.2. Size:572K  ixys
ixfn80n50.pdfpdf_icon

IXFN80N48

IXFN 80N50 VDSS = 500 V HiPerFETTM ID25 = 80 A Power MOSFETs RDS(on) = 55 m Single Die MOSFET D trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr G S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V G

 9.1. Size:152K  ixys
ixfn82n60p.pdfpdf_icon

IXFN80N48

IXFN 82N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 82 A Power MOSFET RDS(on) 75 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V S G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600

Другие MOSFET... IXFN64N50P , IXFN64N50PD2 , IXFN64N50PD3 , IXFN64N60P , IXFN66N50Q2 , IXFN70N60Q2 , IXFN72N55Q2 , IXFN73N30Q , AON7408 , IXFN80N50P , IXFN80N50Q2 , IXFN80N50Q3 , IXFN80N60P3 , IXFN82N60P , IXFN82N60Q3 , IXFP05N100M , IXFP102N15T .

 

 
Back to Top

 


 
.