IXFP130N10T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFP130N10T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0091 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFP130N10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP130N10T даташит

 9.1. Size:252K  ixys
 ixfa16n50p ixfh16n50p ixfp16n50p.pdf pdf_icon

IXFP130N10T

IXFA 16N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFH 16N50P ID25 = 16 A Power MOSFET IXFP 16N50P RDS(on) 400 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V

 9.2. Size:278K  ixys
 ixfp12n65x2m ixfp12n65x2 ixfa12n65x2 ixfh12n65x2.pdf pdf_icon

IXFP130N10T

X2-Class HiPERFET VDSS = 650V IXFA12N65X2 Power MOSFET ID25 = 12A IXFP12N65X2 RDS(on) 310m IXFH12N65X2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXFA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V VGSM Tr

 9.3. Size:166K  ixys
 ixfa16n60p3 ixfh16n60p3 ixfp16n60p3.pdf pdf_icon

IXFP130N10T

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA16N60P3 Power MOSFETs ID25 = 16A IXFP16N60P3 RDS(on) 440m IXFH16N60P3 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) TO-220AB (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 15

 9.4. Size:257K  ixys
 ixfa14n60p ixfh14n60p ixfp14n60p.pdf pdf_icon

IXFP130N10T

IXFA 14N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFH 14N60P ID25 = 14 A Power MOSFET IXFP 14N60P RDS(on) 550 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-263 (IXFA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V S (TAB) VGS Continuous 30 V V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFN82N60Q3, IXFP05N100M, IXFP102N15T, IXFP10N60P, IXFP10N80P, IXFP110N15T2, IXFP12N50P, IXFP12N50PM, SPP20N60C3, IXFP130N10T2, IXFP14N60P, IXFP16N50P, IXFP180N10T2, IXFP22N60P3, IXFP230N075T2, IXFP3N120, IXFP3N50PM