Справочник MOSFET. IXFP16N50P

 

IXFP16N50P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IXFP16N50P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 43 nC

Время нарастания (tr): 200 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IXFP16N50P

 

IXFP16N50P Datasheet (PDF)

1.1. ixfa16n50p ixfh16n50p ixfp16n50p.pdf Size:252K _ixys

IXFP16N50P
IXFP16N50P

IXFA 16N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFH 16N50P ID25 = 16 A Power MOSFET IXFP 16N50P RDS(on) ? 400 m? ? ? ? ? ? ? ? ? ? trr ? 200 ns ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M? 500 V VGS Continuous 30 V VGSM Transient 4

1.2. ixfa16n50p3 ixfh16n50p3 ixfp16n50p3.pdf Size:173K _ixys

IXFP16N50P
IXFP16N50P

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFA16N50P3 Power MOSFETs ID25 = 16A IXFP16N50P3 ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 360mΩ ≤ Ω ≤ Ω IXFH16N50P3 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXFP) VDSS TJ = 25°C to 150°C 500 V VDGR TJ = 25°C to 15

 3.1. ixfa16n60p3 ixfh16n60p3 ixfp16n60p3.pdf Size:166K _ixys

IXFP16N50P
IXFP16N50P

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA16N60P3 Power MOSFETs ID25 = 16A IXFP16N60P3 ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 440mΩ ≤ Ω ≤ Ω IXFH16N60P3 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) TO-220AB (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25°C to 150°C 600 V VDGR TJ = 25°C to 15

Другие MOSFET... IXFP10N60P , IXFP10N80P , IXFP110N15T2 , IXFP12N50P , IXFP12N50PM , IXFP130N10T , IXFP130N10T2 , IXFP14N60P , BF245A , IXFP180N10T2 , IXFP22N60P3 , IXFP230N075T2 , IXFP3N120 , IXFP3N50PM , IXFP3N80 , IXFP4N100P , IXFP4N100PM .

 

 
Back to Top