Справочник MOSFET. IXFP180N10T2

 

IXFP180N10T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFP180N10T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IXFP180N10T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP180N10T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  ixys
 ixfa180n10t2 ixfp180n10t2.pdf pdf_icon

IXFP180N10T2

Preliminary Technical InformationTrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 100VIXFA180N10T2Power MOSFET ID25 = 180AIXFP180N10T2 RDS(on) 6m N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 100 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 175C, RG

 8.1. Size:336K  ixys
 ixfa18n65x2 ixfp18n65x2 ixfh18n65x2.pdf pdf_icon

IXFP180N10T2

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA18N65X2Power MOSFET ID25 = 18AIXFP18N65X2 RDS(on) 200m IXFH18N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263(IXFA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220VDSS TJ = 25C to 150C 650 V(IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGS

 8.2. Size:183K  ixys
 ixfa18n60x ixfh18n60x ixfp18n60x.pdf pdf_icon

IXFP180N10T2

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA18N60XPower MOSFET ID25 = 18AIXFP18N60X RDS(on) 230m IXFH18N60XTO-263 AA (IXFA)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to

 9.1. Size:252K  ixys
 ixfa16n50p ixfh16n50p ixfp16n50p.pdf pdf_icon

IXFP180N10T2

IXFA 16N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFH 16N50P ID25 = 16 APower MOSFETIXFP 16N50P RDS(on) 400 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFP10N80P , IXFP110N15T2 , IXFP12N50P , IXFP12N50PM , IXFP130N10T , IXFP130N10T2 , IXFP14N60P , IXFP16N50P , IRF530 , IXFP22N60P3 , IXFP230N075T2 , IXFP3N120 , IXFP3N50PM , IXFP3N80 , IXFP4N100P , IXFP4N100PM , IXFP4N100Q .

History: AP4430GM | FQD19N10L | BLF278 | FMH30N60S1

 

 
Back to Top

 


 
.