3N213 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3N213  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 35 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm

Тип корпуса: TO72

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 3N213

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N213 даташит

 ..1. Size:69K  motorola
 3n211 3n212 3n213.pdf pdf_icon

3N213

Другие IGBT... 3N203A, 3N204, 3N205, 3N206, 3N209, 3N210, 3N211, 3N212, 5N65, 3N242, 3N323, 3N324, 3N325, 3N325A, 3SK100, 3SK101, 3SK102