IXFQ28N60P3 - описание и поиск аналогов

 

IXFQ28N60P3 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFQ28N60P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 695 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для IXFQ28N60P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFQ28N60P3 технические параметры

 ..1. Size:130K  ixys
 ixfq28n60p3 ixfh28n60p3.pdf pdf_icon

IXFQ28N60P3

Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 600V IXFQ28N60P3 ID25 = 28A Power MOSFETs IXFH28N60P3 RDS(on) 260m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-3P (IXFQ) G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S Tab VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 600 V TO-247 ( IX

 9.1. Size:157K  ixys
 ixfa20n50p3 ixfh20n50p3 ixfp20n50p3 ixfq20n50p3.pdf pdf_icon

IXFQ28N60P3

Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500V IXFA20N50P3 ID25 = 20A Power MOSFETs IXFP20N50P3 RDS(on) 300m IXFQ20N50P3 N-Channel Enhancement Mode IXFH20N50P3 Avalanche Rated TO-220AB (IXFP) Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G G D D (Tab) S S TO-3P (IXFQ) D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ

 9.2. Size:155K  ixys
 ixfa26n50p3 ixfh26n50p3 ixfp26n50p3 ixfq26n50p3.pdf pdf_icon

IXFQ28N60P3

Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500V IXFA26N50P3 ID25 = 26A Power MOSFETs IXFP26N50P3 RDS(on) 230m IXFQ26N50P3 N-Channel Enhancement Mode IXFH26N50P3 Avalanche Rated TO-220AB (IXFP) Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G G D D (Tab) S S TO-3P (IXFQ) D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ

 9.3. Size:155K  ixys
 ixfa24n60x ixfh24n60x ixfp24n60x ixfq24n60x.pdf pdf_icon

IXFQ28N60P3

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA24N60X Power MOSFET ID25 = 24A IXFP24N60X RDS(on) 175m IXFQ24N60X IXFH24N60X N-Channel Enhancement Mode TO-220AB (IXFP) Avalanche Rated TO-263 AA (IXFA) Fast Intrinsic Diode G G D D (Tab) S S TO-3P (IXFQ) D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFP7N80P , IXFP7N80PM , IXFP8N50PM , IXFQ10N80P , IXFQ12N80P , IXFQ14N80P , IXFQ22N60P3 , IXFQ24N50P2 , IRF520 , IXFQ50N60P3 , IXFQ60N50P3 , IXFR100N25 , IXFR102N30P , IXFR140N20P , IXFR140N30P , IXFR14N100Q2 , IXFR150N15 .

 

 
Back to Top

 


 
.