IXFQ28N60P3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFQ28N60P3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 695 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFQ28N60P3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFQ28N60P3 даташит

 ..1. Size:130K  ixys
 ixfq28n60p3 ixfh28n60p3.pdf pdf_icon

IXFQ28N60P3

Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 600V IXFQ28N60P3 ID25 = 28A Power MOSFETs IXFH28N60P3 RDS(on) 260m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-3P (IXFQ) G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S Tab VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 600 V TO-247 ( IX

 9.1. Size:157K  ixys
 ixfa20n50p3 ixfh20n50p3 ixfp20n50p3 ixfq20n50p3.pdf pdf_icon

IXFQ28N60P3

Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500V IXFA20N50P3 ID25 = 20A Power MOSFETs IXFP20N50P3 RDS(on) 300m IXFQ20N50P3 N-Channel Enhancement Mode IXFH20N50P3 Avalanche Rated TO-220AB (IXFP) Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G G D D (Tab) S S TO-3P (IXFQ) D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ

 9.2. Size:155K  ixys
 ixfa26n50p3 ixfh26n50p3 ixfp26n50p3 ixfq26n50p3.pdf pdf_icon

IXFQ28N60P3

Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500V IXFA26N50P3 ID25 = 26A Power MOSFETs IXFP26N50P3 RDS(on) 230m IXFQ26N50P3 N-Channel Enhancement Mode IXFH26N50P3 Avalanche Rated TO-220AB (IXFP) Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G G D D (Tab) S S TO-3P (IXFQ) D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ

 9.3. Size:155K  ixys
 ixfa24n60x ixfh24n60x ixfp24n60x ixfq24n60x.pdf pdf_icon

IXFQ28N60P3

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA24N60X Power MOSFET ID25 = 24A IXFP24N60X RDS(on) 175m IXFQ24N60X IXFH24N60X N-Channel Enhancement Mode TO-220AB (IXFP) Avalanche Rated TO-263 AA (IXFA) Fast Intrinsic Diode G G D D (Tab) S S TO-3P (IXFQ) D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFP7N80P, IXFP7N80PM, IXFP8N50PM, IXFQ10N80P, IXFQ12N80P, IXFQ14N80P, IXFQ22N60P3, IXFQ24N50P2, K3569, IXFQ50N60P3, IXFQ60N50P3, IXFR100N25, IXFR102N30P, IXFR140N20P, IXFR140N30P, IXFR14N100Q2, IXFR150N15