Справочник MOSFET. IXFQ28N60P3

 

IXFQ28N60P3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IXFQ28N60P3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 695 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 50 nC

Время нарастания (tr): 250 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для IXFQ28N60P3

 

 

IXFQ28N60P3 Datasheet (PDF)

1.1. ixfq28n60p3 ixfh28n60p3.pdf Size:130K _ixys

IXFQ28N60P3
IXFQ28N60P3

Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 600V IXFQ28N60P3 ID25 = 28A Power MOSFETs IXFH28N60P3 ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 260mΩ ≤ Ω ≤ Ω N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-3P (IXFQ) G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S Tab VDSS TJ = 25°C to 150°C 600 V VDGR TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ 600 V TO-247 ( IX

5.1. ixfa26n50p3 ixfh26n50p3 ixfp26n50p3 ixfq26n50p3.pdf Size:155K _ixys

IXFQ28N60P3
IXFQ28N60P3

Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500V IXFA26N50P3 ID25 = 26A Power MOSFETs IXFP26N50P3 ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 230mΩ ≤ Ω ≤ Ω IXFQ26N50P3 N-Channel Enhancement Mode IXFH26N50P3 Avalanche Rated TO-220AB (IXFP) Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G G D D (Tab) S S TO-3P (IXFQ) D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ

5.2. ixfa20n50p3 ixfh20n50p3 ixfp20n50p3 ixfq20n50p3.pdf Size:157K _ixys

IXFQ28N60P3
IXFQ28N60P3

Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500V IXFA20N50P3 ID25 = 20A Power MOSFETs IXFP20N50P3 ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 300mΩ ≤ Ω ≤ Ω IXFQ20N50P3 N-Channel Enhancement Mode IXFH20N50P3 Avalanche Rated TO-220AB (IXFP) Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G G D D (Tab) S S TO-3P (IXFQ) D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ

 5.3. ixfa24n60x ixfh24n60x ixfp24n60x ixfq24n60x.pdf Size:155K _ixys

IXFQ28N60P3
IXFQ28N60P3

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA24N60X Power MOSFET ID25 = 24A IXFP24N60X   RDS(on)    175m     IXFQ24N60X IXFH24N60X N-Channel Enhancement Mode TO-220AB (IXFP) Avalanche Rated TO-263 AA (IXFA) Fast Intrinsic Diode G G D D (Tab) S S TO-3P (IXFQ) D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top

 


IXFQ28N60P3
  IXFQ28N60P3
  IXFQ28N60P3
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: US6U37 | US6M2 | US6M11 | US6M1 | US6K4 | US6K2 | US6K1 | US6J11 | US5U38 | US5U35 | US5U30 | US5U3 | US5U29TR | US5U2 | US5U1 |
 

 

 

 

 

Back to Top