3N325 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3N325  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm

Тип корпуса: TO72

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 3N325

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3N325 даташит

No data!

Другие IGBT... 3N209, 3N210, 3N211, 3N212, 3N213, 3N242, 3N323, 3N324, RFP50N06, 3N325A, 3SK100, 3SK101, 3SK102, 3SK103, 3SK104, 3SK104V, 3SK107