IXFR30N110P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFR30N110P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFR30N110P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR30N110P даташит

 7.1. Size:135K  ixys
 ixfc30n60p ixfr30n60p.pdf pdf_icon

IXFR30N110P

IXFC 30N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFR 30N60P ID25 = 15 A Power MOSFET RDS(on) 250 m Electrically Isolated Back Surface trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V E153432 VDGR TJ = 25 C to

 7.2. Size:91K  ixys
 ixfr30n50q ixfr32n50q.pdf pdf_icon

IXFR30N110P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM IXFR 30N50Q 500 V 29 A 0.16 W IXFR 32N50Q 500 V 30 A 0.15 W (Electrically Isolated Back Surface) trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dV/dt, Low trr, HDMOSTM Family Preliminary data ISOPLUS 247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings E 153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 500 V

 9.1. Size:59K  ixys
 ixfr34n80.pdf pdf_icon

IXFR30N110P

IXFR 34N80 VDSS = 800 V HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM ID25 = 28 A (Electrically Isolated Backside) RDS(on) = 0.24 trr 250 ns Single MOSFET Die Avalanche Rated Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGS

 9.2. Size:248K  ixys
 ixfc36n50p ixfr36n50p.pdf pdf_icon

IXFR30N110P

IXFC 36N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFR 36N50P ID25 = 19 A Power MOSFET RDS(on) 190 m (Electrically Isolated Back Surface) trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFR21N100Q, IXFR230N20T, IXFR24N80P, IXFR24N90P, IXFR24N90Q, IXFR26N100P, IXFR26N120P, IXFR26N60Q, 60N06, IXFR30N60P, IXFR32N100P, IXFR32N100Q3, IXFR32N80P, IXFR32N80Q3, IXFR34N80, IXFR36N50P, IXFR36N60P