Справочник MOSFET. IXFR36N50P

 

IXFR36N50P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFR36N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 93 nC
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXFR36N50P

 

 

IXFR36N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  ixys
 ixfc36n50p ixfr36n50p.pdf

IXFR36N50P IXFR36N50P

IXFC 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 36N50P ID25 = 19 APower MOSFET RDS(on) 190 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ

 7.1. Size:144K  ixys
 ixfr36n60p.pdf

IXFR36N50P IXFR36N50P

IXFR 36N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 20 APower MOSFET RDS(on) 200 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 15

 9.1. Size:59K  ixys
 ixfr34n80.pdf

IXFR36N50P IXFR36N50P

IXFR 34N80 VDSS = 800 VHiPerFETTM Power MOSFETsISOPLUS247TM ID25 = 28 A(Electrically Isolated Backside)RDS(on) = 0.24 trr 250 ns Single MOSFET DieAvalanche RatedPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS

 9.2. Size:135K  ixys
 ixfc30n60p ixfr30n60p.pdf

IXFR36N50P IXFR36N50P

IXFC 30N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 30N60P ID25 = 15 APower MOSFET RDS(on) 250 m Electrically Isolated Back Surfacetrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeFast Recovery DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VE153432VDGR TJ = 25C to

 9.3. Size:149K  ixys
 ixfr32n80p.pdf

IXFR36N50P IXFR36N50P

PolarHVTM HiPerFET VDSS = 800 V IXFR 32N80PID25 = 20 APower MOSFET RDS(on) 290 m ISOPLUS247TMtrr 250 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR) E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR T

 9.4. Size:91K  ixys
 ixfr30n50q ixfr32n50q.pdf

IXFR36N50P IXFR36N50P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM Power MOSFETsISOPLUS247TM IXFR 30N50Q 500 V 29 A 0.16 WIXFR 32N50Q 500 V 30 A 0.15 W(Electrically Isolated Back Surface)trr 250 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dV/dt, Low trr, HDMOSTM FamilyPreliminary dataISOPLUS 247TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsE 153432VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 500 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top