IXFR40N90P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFR40N90P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 6.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 230 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFR40N90P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR40N90P даташит

 ..1. Size:115K  ixys
 ixfr40n90p.pdf pdf_icon

IXFR40N90P

Preliminary Technical Information PolarTM Power MOSFET VDSS = 900V IXFR40N90P ID25 = 21A HiPerFETTM RDS(on) 230m N-Channel Enhancement Mode trr 300ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 900 V

 7.1. Size:117K  ixys
 ixfr40n50q2.pdf pdf_icon

IXFR40N90P

VDSS = 500V HiPerFETTM IXFR40N50Q2 ID25 = 29A Power MOSFET RDS(on) 170m Q2-Class trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Low intrinsic Rg, low trr ISOPLUS247 (IXFR) E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V

 9.1. Size:34K  ixys
 ixfr44n60.pdf pdf_icon

IXFR40N90P

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 44N60 VDSS = 600 V ISOPLUS247TM ID25 = 38 A (Electrically Isolated Back Surface) RDS(on)= 130 mW Single MOSFET Die trr 250 ns ISOPLUS 247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 600 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C38 A G = Gate D = Drain

 9.2. Size:156K  ixys
 ixfr44n50q3.pdf pdf_icon

IXFR40N90P

Advance Technical Information HiperFETTM VDSS = 500V IXFR44N50Q3 P wer MOSFET ID25 = 25A Q3-CIass RDS( n) 154m trr 250ns (EIectricaIIy Is Iated Tab) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier ISOPLUS247 E153432 Symb I Test C nditi ns Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V VGSS Continuous 30 V G VGSM Transient 40

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFR32N100Q3, IXFR32N80P, IXFR32N80Q3, IXFR34N80, IXFR36N50P, IXFR36N60P, IXFR38N80Q2, IXFR40N50Q2, 50N06, IXFR44N50P, IXFR44N50Q, IXFR44N60, IXFR44N80P, IXFR48N50Q, IXFR48N60P, IXFR48N60Q3, IXFR4N100Q