IXFR44N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFR44N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 330 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFR44N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR44N60 даташит

 ..1. Size:34K  ixys
 ixfr44n60.pdf pdf_icon

IXFR44N60

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 44N60 VDSS = 600 V ISOPLUS247TM ID25 = 38 A (Electrically Isolated Back Surface) RDS(on)= 130 mW Single MOSFET Die trr 250 ns ISOPLUS 247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 600 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C38 A G = Gate D = Drain

 7.1. Size:156K  ixys
 ixfr44n50q3.pdf pdf_icon

IXFR44N60

Advance Technical Information HiperFETTM VDSS = 500V IXFR44N50Q3 P wer MOSFET ID25 = 25A Q3-CIass RDS( n) 154m trr 250ns (EIectricaIIy Is Iated Tab) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier ISOPLUS247 E153432 Symb I Test C nditi ns Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V VGSS Continuous 30 V G VGSM Transient 40

 7.2. Size:153K  ixys
 ixfr44n50p.pdf pdf_icon

IXFR44N60

 7.3. Size:101K  ixys
 ixfr44n80p.pdf pdf_icon

IXFR44N60

IXFR 44N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 25 A Power MOSFET RDS(on) 200 m Electrically Isolated Tab trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXFR) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFR34N80, IXFR36N50P, IXFR36N60P, IXFR38N80Q2, IXFR40N50Q2, IXFR40N90P, IXFR44N50P, IXFR44N50Q, IRF640, IXFR44N80P, IXFR48N50Q, IXFR48N60P, IXFR48N60Q3, IXFR4N100Q, IXFR64N50P, IXFR64N50Q3, IXFR64N60P