Справочник MOSFET. IXFR64N50P

 

IXFR64N50P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFR64N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
 

 Аналог (замена) для IXFR64N50P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR64N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  ixys
 ixfr64n50p.pdf pdf_icon

IXFR64N50P

IXFR 64N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 35 APower MOSFET RDS(on) 95 m ISOPLUS247TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ

 7.1. Size:151K  ixys
 ixfr64n60p.pdf pdf_icon

IXFR64N50P

VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFET IXFR 64N60PID25 = 36 APower MOSFET RDS(on) 105 m trr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISOPLUS247 (IXFR)E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 15

Другие MOSFET... IXFR44N50P , IXFR44N50Q , IXFR44N60 , IXFR44N80P , IXFR48N50Q , IXFR48N60P , IXFR48N60Q3 , IXFR4N100Q , IRF3710 , IXFR64N50Q3 , IXFR64N60P , IXFR64N60Q3 , IXFR66N50Q2 , IXFR70N15 , IXFR80N15Q , IXFR80N50P , IXFR80N50Q3 .

History: IRF2804PBF | SDF120JAA-U | MDV1522URH | KP501B | 2SK844 | 2SK2835

 

 
Back to Top

 


 
.