IXFR64N50P - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFR64N50P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFR64N50P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXFR64N50P

 

IXFR64N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  ixys
 ixfr64n50p.pdf pdf_icon

IXFR64N50P

IXFR 64N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 35 A Power MOSFET RDS(on) 95 m ISOPLUS247TM trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXFR) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ

 7.1. Size:151K  ixys
 ixfr64n60p.pdf pdf_icon

IXFR64N50P

VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFR 64N60P ID25 = 36 A Power MOSFET RDS(on) 105 m trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode ISOPLUS247 (IXFR) E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 15

Другие MOSFET... IXFR44N50P , IXFR44N50Q , IXFR44N60 , IXFR44N80P , IXFR48N50Q , IXFR48N60P , IXFR48N60Q3 , IXFR4N100Q , AO3400 , IXFR64N50Q3 , IXFR64N60P , IXFR64N60Q3 , IXFR66N50Q2 , IXFR70N15 , IXFR80N15Q , IXFR80N50P , IXFR80N50Q3 .

History: IXFR80N50P | IXFN52N90P | P2806HV | BL3N90-P | DKI04103

 

 
Back to Top

 


 
.