IXFR70N15 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFR70N15  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFR70N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR70N15 даташит

No data!

Другие IGBT... IXFR48N60P, IXFR48N60Q3, IXFR4N100Q, IXFR64N50P, IXFR64N50Q3, IXFR64N60P, IXFR64N60Q3, IXFR66N50Q2, IRFB4115, IXFR80N15Q, IXFR80N50P, IXFR80N50Q3, IXFR80N60P3, IXFR90N30, IXFT120N15P, IXFT12N100F, IXFT12N50F