Справочник MOSFET. IXFR70N15

 

IXFR70N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFR70N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
 

 Аналог (замена) для IXFR70N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR70N15 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие MOSFET... IXFR48N60P , IXFR48N60Q3 , IXFR4N100Q , IXFR64N50P , IXFR64N50Q3 , IXFR64N60P , IXFR64N60Q3 , IXFR66N50Q2 , IRFP250N , IXFR80N15Q , IXFR80N50P , IXFR80N50Q3 , IXFR80N60P3 , IXFR90N30 , IXFT120N15P , IXFT12N100F , IXFT12N50F .

History: SDF11N100GAF | AP9966GM-HF | 12N80L-TF2-T | 2SK2885S | BLM6G22-30G | AOT428 | 2SK4066B

 

 
Back to Top

 


 
.