IXFR70N15 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXFR70N15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUS247
Аналог (замена) для IXFR70N15
IXFR70N15 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие MOSFET... IXFR48N60P , IXFR48N60Q3 , IXFR4N100Q , IXFR64N50P , IXFR64N50Q3 , IXFR64N60P , IXFR64N60Q3 , IXFR66N50Q2 , AON6414A , IXFR80N15Q , IXFR80N50P , IXFR80N50Q3 , IXFR80N60P3 , IXFR90N30 , IXFT120N15P , IXFT12N100F , IXFT12N50F .
History: HM60N20D | BUK9207-30B | IXFR44N50Q | IPP085N06LG | NP80N03NDE | IPP052NE7N3G | APT10M25BVR
History: HM60N20D | BUK9207-30B | IXFR44N50Q | IPP085N06LG | NP80N03NDE | IPP052NE7N3G | APT10M25BVR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet