Справочник MOSFET. IXFT24N50Q

 

IXFT24N50Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFT24N50Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: TO268
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT24N50Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  ixys
ixfh24n50q ixft24n50q ixfh26n50q ixft26n50q.pdfpdf_icon

IXFT24N50Q

HiPerFETTM VDSS ID25 RDS(on)Power MOSFETs IXFH/IXFT 24N50Q 500 V 24 A 0.23 IXFH/IXFT 26N50Q 500 V 26 A 0.20 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1

 5.1. Size:158K  ixys
ixfh21n50 ixfh24n50 ixfh26n50 ixfm21n50 ixfm24n50 ixfm26n50 ixft24n50 ixft26n50.pdfpdf_icon

IXFT24N50Q

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM21N50 500 V 21 A 0.25 Power MOSFETsIXFH/IXFM/IXFT24N50 500 V 24 A 0.23 IXFH/IXFT26N50 500 V 26 A 0.20 N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr 250 ns TO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to

 7.1. Size:122K  ixys
ixft24n90p ixfh24n90p.pdfpdf_icon

IXFT24N50Q

Preliminary Technical InformationVDSS = 900VIXFH24N90PPolarTM Power MOSFETID25 = 24AIXFT24N90PHiPerFETTM RDS(on) 420m N-Channel Enhancement Modetrr 300nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 7.2. Size:158K  ixys
ixfh24n80p ixfk24n80p ixft24n80p.pdfpdf_icon

IXFT24N50Q

IXFH 24N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFK 24N80P ID25 = 24 APower MOSFET IXFT 24N80P RDS(on) 400 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGSS Con

Другие MOSFET... IXFT16N90Q , IXFT18N90P , IXFT20N100P , IXFT20N80P , IXFT21N50 , IXFT21N50F , IXFT21N50Q , IXFT24N50 , IRFP250 , IXFT24N80P , IXFT24N90P , IXFT26N50 , IXFT26N60P , IXFT28N50F , IXFT30N40Q , IXFT30N50P , IXFT30N50Q3 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.