IXFT24N90P - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFT24N90P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFT24N90P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 660 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXFT24N90P

 

IXFT24N90P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  ixys
 ixft24n90p ixfh24n90p.pdf pdf_icon

IXFT24N90P

Preliminary Technical Information VDSS = 900V IXFH24N90P PolarTM Power MOSFET ID25 = 24A IXFT24N90P HiPerFETTM RDS(on) 420m N-Channel Enhancement Mode trr 300ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

 7.1. Size:158K  ixys
 ixfh21n50 ixfh24n50 ixfh26n50 ixfm21n50 ixfm24n50 ixfm26n50 ixft24n50 ixft26n50.pdf pdf_icon

IXFT24N90P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM21N50 500 V 21 A 0.25 Power MOSFETs IXFH/IXFM/IXFT24N50 500 V 24 A 0.23 IXFH/IXFT26N50 500 V 26 A 0.20 N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr 250 ns TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to

 7.2. Size:145K  ixys
 ixfh24n50q ixft24n50q ixfh26n50q ixft26n50q.pdf pdf_icon

IXFT24N90P

HiPerFETTM VDSS ID25 RDS(on) Power MOSFETs IXFH/IXFT 24N50Q 500 V 24 A 0.23 IXFH/IXFT 26N50Q 500 V 26 A 0.20 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1

 7.3. Size:158K  ixys
 ixfh24n80p ixfk24n80p ixft24n80p.pdf pdf_icon

IXFT24N90P

IXFH 24N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET IXFK 24N80P ID25 = 24 A Power MOSFET IXFT 24N80P RDS(on) 400 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGSS Con

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFT20N100P , IXFT20N80P , IXFT21N50 , IXFT21N50F , IXFT21N50Q , IXFT24N50 , IXFT24N50Q , IXFT24N80P , AON6380 , IXFT26N50 , IXFT26N60P , IXFT28N50F , IXFT30N40Q , IXFT30N50P , IXFT30N50Q3 , IXFT30N60P , IXFT320N10T2 .

 

 
Back to Top

 


 
.