IXFT60N20F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFT60N20F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TO268

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFT60N20F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT60N20F даташит

 6.1. Size:71K  ixys
 ixfh60n25q ixfk60n25q ixft60n25q.pdf pdf_icon

IXFT60N20F

Advanced Technical Information IXFH 60N25Q HiPerFETTM VDSS = 250 V IXFK 60N25Q Power MOSFETs ID25 = 60 A IXFT 60N25Q Q-Class RDS(on) = 47 mW trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 250

 9.1. Size:116K  ixys
 ixfh6n100q ixft6n100q.pdf pdf_icon

IXFT60N20F

VDSS = 1000 V IXFH 6N100Q HiPerFETTM ID25 = 6 A IXFT 6N100Q Power MOSFETs RDS(on) = 1.9 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V VG

 9.2. Size:176K  ixys
 ixfh69n30p ixft69n30p.pdf pdf_icon

IXFT60N20F

IXFH 69N30P VDSS = 300 V PolarHTTM HiPerFET IXFT 69N30P ID25 = 69 A Power MOSFET RDS(on) 49 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGS Continuou

Другие IGBT... IXFT400N075T2, IXFT42N50P2, IXFT44N50P, IXFT50N30Q3, IXFT50N60P3, IXFT52N50P2, IXFT58N20, IXFT60N20, 20N50, IXFT60N50P3, IXFT66N20Q, IXFT68N20, IXFT69N30P, IXFT6N100F, IXFT70N15, IXFT70N20Q3, IXFT74N20