IXFT66N20Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFT66N20Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 105 nC
trⓘ - Время нарастания: 200 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO268
Аналог (замена) для IXFT66N20Q
IXFT66N20Q Datasheet (PDF)
ixfh60n25q ixfk60n25q ixft60n25q.pdf
Advanced Technical InformationIXFH 60N25QHiPerFETTMVDSS = 250 VIXFK 60N25QPower MOSFETs ID25 = 60 AIXFT 60N25QQ-Class RDS(on) = 47 mWtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrLow Gate Charge and CapacitancesSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 250
ixfh6n100q ixft6n100q.pdf
VDSS = 1000 VIXFH 6N100QHiPerFETTMID25 = 6 AIXFT 6N100QPower MOSFETsRDS(on) = 1.9 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 VVG
ixfh69n30p ixft69n30p.pdf
IXFH 69N30P VDSS = 300 VPolarHTTM HiPerFETIXFT 69N30P ID25 = 69 APower MOSFET RDS(on) 49 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuou
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F