Справочник MOSFET. IXFT74N20

 

IXFT74N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFT74N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO268
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT74N20 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:151K  ixys
ixfh75n10q ixft75n10q.pdfpdf_icon

IXFT74N20

Advanced Technical InformationIXFH 75N10Q VDSS = 100 VHiPerFETTMIXFT 75N10Q ID25 = 75 APower MOSFETs RDS(on) = 20 mWQ-Classt 200nsrr N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtLow Gate Charge and CapacitancesSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 100 VVGS Continuous

 9.2. Size:52K  ixys
ixfh70n15 ixft70n15.pdfpdf_icon

IXFT74N20

Advanced Technical InformationIXFH 70N15 VDSS = 150 VHiPerFETTMIXFT 70N15 ID25 = 70 APower MOSFETs RDS(on) = 28 mWtrr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 150 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 150 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)ID2

 9.3. Size:131K  ixys
ixfh70n30q3 ixft70n30q3.pdfpdf_icon

IXFT74N20

Advance Technical InformationHiperFETTM VDSS = 300VIXFT70N30Q3Power MOSFETs ID25 = 70AIXFH70N30Q3 Q3-Class RDS(on) 54m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268 (IXFT)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VTO-247 (IXFH)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300

 9.4. Size:112K  ixys
ixfh7n90q ixft7n90q.pdfpdf_icon

IXFT74N20

www.DataSheet.co.krAdvanced Technical InformationIXFH 7N90Q VDSS = 900 VHiPerFETTMIXFT 7N90Q ID25 = 7 APower MOSFETsRDS(on) = 1.5 WQ-ClassN-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 900 VVGS Continuous 20 VVGSM

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 3415A | NVMFS5C628N | 2SK3502-01MR | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.