IXFT74N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFT74N20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO268

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFT74N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT74N20 даташит

 9.1. Size:151K  ixys
 ixfh75n10q ixft75n10q.pdf pdf_icon

IXFT74N20

Advanced Technical Information IXFH 75N10Q VDSS = 100 V HiPerFETTM IXFT 75N10Q ID25 = 75 A Power MOSFETs RDS(on) = 20 mW Q-Class t 200ns rr N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt Low Gate Charge and Capacitances Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 100 V VGS Continuous

 9.2. Size:52K  ixys
 ixfh70n15 ixft70n15.pdf pdf_icon

IXFT74N20

Advanced Technical Information IXFH 70N15 VDSS = 150 V HiPerFETTM IXFT 70N15 ID25 = 70 A Power MOSFETs RDS(on) = 28 mW trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 150 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 150 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) ID2

 9.3. Size:131K  ixys
 ixfh70n30q3 ixft70n30q3.pdf pdf_icon

IXFT74N20

Advance Technical Information HiperFETTM VDSS = 300V IXFT70N30Q3 Power MOSFETs ID25 = 70A IXFH70N30Q3 Q3-Class RDS(on) 54m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-268 (IXFT) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V TO-247 (IXFH) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 300

 9.4. Size:112K  ixys
 ixfh7n90q ixft7n90q.pdf pdf_icon

IXFT74N20

www.DataSheet.co.kr Advanced Technical Information IXFH 7N90Q VDSS = 900 V HiPerFETTM IXFT 7N90Q ID25 = 7 A Power MOSFETs RDS(on) = 1.5 W Q-Class N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 900 V VGS Continuous 20 V VGSM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFT60N20F, IXFT60N50P3, IXFT66N20Q, IXFT68N20, IXFT69N30P, IXFT6N100F, IXFT70N15, IXFT70N20Q3, 75N75, IXFT7N90Q, IXFT80N08, IXFT80N085, IXFT80N10, IXFT80N15Q, IXFT86N30T, IXFT88N30P, IXFT96N20P