IXFT86N30T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFT86N30T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm

Тип корпуса: TO268

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFT86N30T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT86N30T даташит

 ..1. Size:176K  ixys
 ixfh86n30t ixft86n30t.pdf pdf_icon

IXFT86N30T

Advance Technical Information TrenchTM HiperFETTM VDSS = 300V IXFH86N30T Power MOSFET ID25 = 86A IXFT86N30T RDS(on) 43m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V D D (Tab) S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 300 V VGSS Continu

 9.1. Size:52K  ixys
 ixfh80n10q ixft80n10q.pdf pdf_icon

IXFT86N30T

IXFH 80N10Q VDSS = 100 V HiPerFETTM IXFT 80N10Q ID25 = 80 A Power MOSFETs RDS(on) = 15 mW Q-Class trr 200ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances Preliminary data TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 100 V VGS Continuous 20 V VGSM Trans

 9.2. Size:70K  ixys
 ixfh80n20q ixfk80n20q ixft80n20q.pdf pdf_icon

IXFT86N30T

IXFH 80N20Q HiPerFETTM VDSS = 200 V IXFK 80N20Q Power MOSFETs ID25 = 80 A IXFT 80N20Q Q-Class RDS(on) = 28 mW trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transi

 9.3. Size:148K  ixys
 ixft88n30p ixfh88n30p ixfk88n30p.pdf pdf_icon

IXFT86N30T

PolarTM HiPerFETTM VDSS = 300V IXFT88N30P ID25 = 88A Power MOSFET IXFH88N30P RDS(on) 40m IXFK88N30P trr 200ns TO-268 (IXFT) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated G Fast Intrinsic Diode S Tab Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247(IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFT70N15, IXFT70N20Q3, IXFT74N20, IXFT7N90Q, IXFT80N08, IXFT80N085, IXFT80N10, IXFT80N15Q, IRFZ48N, IXFT88N30P, IXFT96N20P, IXFV10N100P, IXFV10N100PS, IXFV110N10P, IXFV110N10PS, IXFV110N25T, IXFV110N25TS