Справочник MOSFET. IXFV12N100P

 

IXFV12N100P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFV12N100P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 463 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: PLUS220
 

 Аналог (замена) для IXFV12N100P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFV12N100P Datasheet (PDF)

 6.1. Size:176K  ixys
ixfh12n120p ixfv12n120p ixfv12n120ps.pdfpdf_icon

IXFV12N100P

IXFH12N120P VDSS = 1200VPolarTM Power MOSFETIXFV12N120P ID25 = 12AHiPerFETTM RDS(on) 1.35 IXFV12N120PS N-Channel Enhancement Modetrr 300nsAvalanche RatedFast Intrinsic Diode PLUS220 (IXFV)GDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VPLUS220SMD (IXFV_S)VDGR TJ = 25C to 1

 7.1. Size:179K  ixys
ixfh12n90p ixfv12n90p-s.pdfpdf_icon

IXFV12N100P

Preliminary Technical InformationIXFH12N90P VDSS = 900VPolarTM Power MOSFETIXFV12N90P ID25 = 12AHiPerFETTM RDS(on) 900m IXFV12N90PS trr 300nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedPLUS220 (IXFV)Fast Intrinsic DiodeGSymbol Test Conditions Maximum RatingsDSVDSS TJ = 25C to 150C 900 VD (TAB)VDGR TJ

 9.1. Size:309K  ixys
ixfh110n10p ixfv110n10p.pdfpdf_icon

IXFV12N100P

IXFH 110N10P VDSS = 100 VPolarHTTM HiPerFETIXFV 110N10P ID25 = 110 APower MOSFET IXFV 110N10PS RDS(on) 15 m N-Channel Enhancement Modetrr 150 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100

 9.2. Size:172K  ixys
ixfh18n60p ixfv18n60p.pdfpdf_icon

IXFV12N100P

IXFH 18N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFV 18N60P ID25 = 18 APower MOSFET IXFV 18N60PS RDS(on) 400 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Co

Другие MOSFET... IXFT88N30P , IXFT96N20P , IXFV10N100P , IXFV10N100PS , IXFV110N10P , IXFV110N10PS , IXFV110N25T , IXFV110N25TS , MMD60R360PRH , IXFV12N100PS , IXFV12N120P , IXFV12N120PS , IXFV12N80P , IXFV12N80PS , IXFV12N90P , IXFV12N90PS , IXFV14N80P .

History: AM40P10-200P | IPD082N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.