IXFV12N120PS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXFV12N120PS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
Тип корпуса: PLUS220SMD
Аналог (замена) для IXFV12N120PS
IXFV12N120PS Datasheet (PDF)
ixfh12n120p ixfv12n120p ixfv12n120ps.pdf

IXFH12N120P VDSS = 1200VPolarTM Power MOSFETIXFV12N120P ID25 = 12AHiPerFETTM RDS(on) 1.35 IXFV12N120PS N-Channel Enhancement Modetrr 300nsAvalanche RatedFast Intrinsic Diode PLUS220 (IXFV)GDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VPLUS220SMD (IXFV_S)VDGR TJ = 25C to 1
ixfh12n90p ixfv12n90p-s.pdf

Preliminary Technical InformationIXFH12N90P VDSS = 900VPolarTM Power MOSFETIXFV12N90P ID25 = 12AHiPerFETTM RDS(on) 900m IXFV12N90PS trr 300nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedPLUS220 (IXFV)Fast Intrinsic DiodeGSymbol Test Conditions Maximum RatingsDSVDSS TJ = 25C to 150C 900 VD (TAB)VDGR TJ
ixfh110n10p ixfv110n10p.pdf

IXFH 110N10P VDSS = 100 VPolarHTTM HiPerFETIXFV 110N10P ID25 = 110 APower MOSFET IXFV 110N10PS RDS(on) 15 m N-Channel Enhancement Modetrr 150 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100
ixfh18n60p ixfv18n60p.pdf

IXFH 18N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFV 18N60P ID25 = 18 APower MOSFET IXFV 18N60PS RDS(on) 400 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Co
Другие MOSFET... IXFV10N100PS , IXFV110N10P , IXFV110N10PS , IXFV110N25T , IXFV110N25TS , IXFV12N100P , IXFV12N100PS , IXFV12N120P , AO3407 , IXFV12N80P , IXFV12N80PS , IXFV12N90P , IXFV12N90PS , IXFV14N80P , IXFV14N80PS , IXFV15N100P , IXFV15N100PS .
History: IXFX30N110P | FQI2N90TU | PJM3415PSA | APM4800 | 2SK3096 | IXFT69N30P | IXFT66N20Q
History: IXFX30N110P | FQI2N90TU | PJM3415PSA | APM4800 | 2SK3096 | IXFT69N30P | IXFT66N20Q



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet