IXFV12N120PS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFV12N120PS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm

Тип корпуса: PLUS220SMD

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFV12N120PS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFV12N120PS даташит

 ..1. Size:176K  ixys
 ixfh12n120p ixfv12n120p ixfv12n120ps.pdf pdf_icon

IXFV12N120PS

IXFH12N120P VDSS = 1200V PolarTM Power MOSFET IXFV12N120P ID25 = 12A HiPerFETTM RDS(on) 1.35 IXFV12N120PS N-Channel Enhancement Mode trr 300ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode PLUS220 (IXFV) G DS Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (TAB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1200 V PLUS220SMD (IXFV_S) VDGR TJ = 25 C to 1

 7.1. Size:179K  ixys
 ixfh12n90p ixfv12n90p-s.pdf pdf_icon

IXFV12N120PS

Preliminary Technical Information IXFH12N90P VDSS = 900V PolarTM Power MOSFET IXFV12N90P ID25 = 12A HiPerFETTM RDS(on) 900m IXFV12N90PS trr 300ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated PLUS220 (IXFV) Fast Intrinsic Diode G Symbol Test Conditions Maximum Ratings D S VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V D (TAB) VDGR TJ

 9.1. Size:309K  ixys
 ixfh110n10p ixfv110n10p.pdf pdf_icon

IXFV12N120PS

IXFH 110N10P VDSS = 100 V PolarHTTM HiPerFET IXFV 110N10P ID25 = 110 A Power MOSFET IXFV 110N10PS RDS(on) 15 m N-Channel Enhancement Mode trr 150 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100

 9.2. Size:172K  ixys
 ixfh18n60p ixfv18n60p.pdf pdf_icon

IXFV12N120PS

IXFH 18N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFV 18N60P ID25 = 18 A Power MOSFET IXFV 18N60PS RDS(on) 400 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VGS Co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFV10N100PS, IXFV110N10P, IXFV110N10PS, IXFV110N25T, IXFV110N25TS, IXFV12N100P, IXFV12N100PS, IXFV12N120P, AO4407A, IXFV12N80P, IXFV12N80PS, IXFV12N90P, IXFV12N90PS, IXFV14N80P, IXFV14N80PS, IXFV15N100P, IXFV15N100PS