IXFV18N60PS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXFV18N60PS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: PLUS220SMD
Аналог (замена) для IXFV18N60PS
IXFV18N60PS Datasheet (PDF)
ixfh18n60p ixfv18n60p.pdf

IXFH 18N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFV 18N60P ID25 = 18 APower MOSFET IXFV 18N60PS RDS(on) 400 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Co
ixfh110n10p ixfv110n10p.pdf

IXFH 110N10P VDSS = 100 VPolarHTTM HiPerFETIXFV 110N10P ID25 = 110 APower MOSFET IXFV 110N10PS RDS(on) 15 m N-Channel Enhancement Modetrr 150 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100
ixfh12n90p ixfv12n90p-s.pdf

Preliminary Technical InformationIXFH12N90P VDSS = 900VPolarTM Power MOSFETIXFV12N90P ID25 = 12AHiPerFETTM RDS(on) 900m IXFV12N90PS trr 300nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedPLUS220 (IXFV)Fast Intrinsic DiodeGSymbol Test Conditions Maximum RatingsDSVDSS TJ = 25C to 150C 900 VD (TAB)VDGR TJ
ixfh12n120p ixfv12n120p ixfv12n120ps.pdf

IXFH12N120P VDSS = 1200VPolarTM Power MOSFETIXFV12N120P ID25 = 12AHiPerFETTM RDS(on) 1.35 IXFV12N120PS N-Channel Enhancement Modetrr 300nsAvalanche RatedFast Intrinsic Diode PLUS220 (IXFV)GDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VPLUS220SMD (IXFV_S)VDGR TJ = 25C to 1
Другие MOSFET... IXFV12N90PS , IXFV14N80P , IXFV14N80PS , IXFV15N100P , IXFV15N100PS , IXFV16N80P , IXFV16N80PS , IXFV18N60P , 50N06 , IXFV18N90P , IXFV18N90PS , IXFV20N80P , IXFV20N80PS , IXFV22N50P , IXFV22N50PS , IXFV22N60P , IXFV22N60PS .
History: IXTH75N10L2 | UF830L-TM3-T | AP2864I-A-HF | PH1330AL | 2SK2274 | MX2N5116
History: IXTH75N10L2 | UF830L-TM3-T | AP2864I-A-HF | PH1330AL | 2SK2274 | MX2N5116



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n