3SK108Q datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 3SK108Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
Тип корпуса: DIP
Аналог (замена) для 3SK108Q
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
3SK108Q даташит
Другие IGBT... 3SK102, 3SK103, 3SK104, 3SK104V, 3SK107, 3SK107E, 3SK107F, 3SK108, IRF1407, 3SK108R, 3SK108S, 3SK108T, 3SK111, 3SK113, 3SK113F, 3SK113G, 3SK113H
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent





