IXFV20N80PS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFV20N80PS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: PLUS220SMD

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFV20N80PS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFV20N80PS даташит

 4.1. Size:326K  ixys
 ixfh20n80p ixft20n80p ixfv20n80p.pdf pdf_icon

IXFV20N80PS

IXFH 20N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET IXFT 20N80P ID25 = 20 A Power MOSFET IXFV 20N80P RDS(on) 520 m N-Channel Enhancement Mode IXFV 20N80PS trr 250 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RG

 9.1. Size:197K  ixys
 ixfh26n60p ixft26n60p ixfv26n60p.pdf pdf_icon

IXFV20N80PS

IXFH26N60P VDSS = 600 V PolarHVTM IXFT26N60P ID25 = 26 A Power MOSFET IXFV26N60P RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Mode IXFV26N60PS trr 200 ns Fast Recovery Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VGSS Contin

 9.2. Size:295K  ixys
 ixfh22n60p ixfv22n60p.pdf pdf_icon

IXFV20N80PS

IXFH 22N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFV 22N60P ID25 = 22 A Power MOSFETs IXFV 22N60PS RDS(on) 350 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 60

 9.3. Size:323K  ixys
 ixfv26n50p ixfh26n50p.pdf pdf_icon

IXFV20N80PS

IXFH 26N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFV 26N50P ID25 = 26 A Power MOSFET IXFV 26N50PS RDS(on) 230 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V TO-247 (IXFH)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFV15N100PS, IXFV16N80P, IXFV16N80PS, IXFV18N60P, IXFV18N60PS, IXFV18N90P, IXFV18N90PS, IXFV20N80P, IRF1404, IXFV22N50P, IXFV22N50PS, IXFV22N60P, IXFV22N60PS, IXFV26N50P, IXFV26N50PS, IXFV26N60P, IXFV26N60PS