Справочник MOSFET. IXFV26N60P

 

IXFV26N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFV26N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: PLUS220
 

 Аналог (замена) для IXFV26N60P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFV26N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  ixys
 ixfh26n60p ixft26n60p ixfv26n60p.pdf pdf_icon

IXFV26N60P

IXFH26N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXFT26N60P ID25 = 26 APower MOSFET IXFV26N60P RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement ModeIXFV26N60PS trr 200 nsFast Recovery DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGSS Contin

 7.1. Size:323K  ixys
 ixfv26n50p ixfh26n50p.pdf pdf_icon

IXFV26N60P

IXFH 26N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFV 26N50P ID25 = 26 APower MOSFET IXFV 26N50PS RDS(on) 230 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V TO-247 (IXFH)

 9.1. Size:295K  ixys
 ixfh22n60p ixfv22n60p.pdf pdf_icon

IXFV26N60P

IXFH 22N60PVDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFV 22N60PID25 = 22 APower MOSFETsIXFV 22N60PS RDS(on) 350 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 60

 9.2. Size:326K  ixys
 ixfh20n80p ixft20n80p ixfv20n80p.pdf pdf_icon

IXFV26N60P

IXFH 20N80PVDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFT 20N80PID25 = 20 APower MOSFETIXFV 20N80P RDS(on) 520 m N-Channel Enhancement ModeIXFV 20N80PStrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFV20N80P , IXFV20N80PS , IXFV22N50P , IXFV22N50PS , IXFV22N60P , IXFV22N60PS , IXFV26N50P , IXFV26N50PS , P55NF06 , IXFV26N60PS , IXFV30N50P , IXFV30N50PS , IXFV30N60P , IXFV30N60PS , IXFV36N50P , IXFV36N50PS , IXFV52N30P .

History: VBE2102M | QM3018D | OSG80R380HF

 

 
Back to Top

 


 
.