IXFV52N30PS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: IXFV52N30PS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm
   Тип корпуса: PLUS220SMD
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам