IXFV52N30PS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFV52N30PS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm

Тип корпуса: PLUS220SMD

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFV52N30PS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFV52N30PS даташит

No data!

Другие IGBT... IXFV26N60PS, IXFV30N50P, IXFV30N50PS, IXFV30N60P, IXFV30N60PS, IXFV36N50P, IXFV36N50PS, IXFV52N30P, IRF630, IXFV74N20P, IXFV74N20PS, IXFV96N15P, IXFV96N15PS, IXFV96N20P, IXFX120N25, IXFX120N25P, IXFX120N30T