Справочник MOSFET. IXFX32N100Q3

 

IXFX32N100Q3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFX32N100Q3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXFX32N100Q3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX32N100Q3 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:161K  ixys
 ixfk32n80p ixfx32n80p.pdf pdf_icon

IXFX32N100Q3

IXFK 32N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 32N80P ID25 = 32 APower MOSFET RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 VVGSS Contin

 7.2. Size:573K  ixys
 ixfk32n50q ixfx32n50q.pdf pdf_icon

IXFX32N100Q3

VDSS ID25 RDS(on)IXFK 32N50QHiPerFETTMIXFX 32N50Q500 V 32 A 0.16 Power MOSFETs 500 V 32 A 0.16 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

 7.3. Size:124K  ixys
 ixfk32n90p ixfx32n90p.pdf pdf_icon

IXFX32N100Q3

Advance Technical InformationPolarTM HiPerFETTM VDSS = 900VIXFK32N90PPower MOSFETsID25 = 32AIXFX32N90PRDS(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFX26N100P , IXFX26N120P , IXFX26N60Q , IXFX27N80Q , IXFX30N100Q2 , IXFX30N110P , IXFX320N17T2 , IXFX32N100P , 13N50 , IXFX32N50 , IXFX32N80P , IXFX32N80Q3 , IXFX360N10T , IXFX360N15T2 , IXFX38N80Q2 , IXFX40N90P , IXFX420N10T .

History: STW45N60DM2AG | UF830KG-TF3-T | BSS138AKDW | APM7318KC | MDU5693VRH | INK0001BM1 | PK608DY

 

 
Back to Top

 


 
.