IXFX32N80P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFX32N80P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 830 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 32 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 150 nC
Время нарастания (tr): 250 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm
Тип корпуса: PLUS247
Аналог (замена) для IXFX32N80P
IXFX32N80P Datasheet (PDF)
ixfk32n80p ixfx32n80p.pdf
IXFK 32N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 32N80P ID25 = 32 APower MOSFET RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 VVGSS Contin
ixfk32n50q ixfx32n50q.pdf
VDSS ID25 RDS(on)IXFK 32N50QHiPerFETTMIXFX 32N50Q500 V 32 A 0.16 Power MOSFETs 500 V 32 A 0.16 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M
ixfk32n90p ixfx32n90p.pdf
Advance Technical InformationPolarTM HiPerFETTM VDSS = 900VIXFK32N90PPower MOSFETsID25 = 32AIXFX32N90PRDS(on)
ixfk30n50q ixfx30n50q.pdf
VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK/IXFX 30N50Q500 V 30 A 0.16 Power MOSFETs IXFK/IXFX 32N50Q500 V 32 A 0.15 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS
ixfk34n80 ixfx34n80.pdf
HiPerFETTM IXFK 34N80 VDSS = 800 VIXFX 34N80 ID25 = 34 APower MOSFETsRDS(on) = 0.24 WSingle MOSFET Dietrr 250 nsAvalanche RatedPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 V (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C34 ATO-264 AA (I
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: APT12057B2LLG
