IXFX32N80Q3 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFX32N80Q3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFX32N80Q3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 6.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 140 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXFX32N80Q3

 

IXFX32N80Q3 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:161K  ixys
 ixfk32n80p ixfx32n80p.pdf pdf_icon

IXFX32N80Q3

IXFK 32N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET IXFX 32N80P ID25 = 32 A Power MOSFET RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGSS Contin

 7.1. Size:573K  ixys
 ixfk32n50q ixfx32n50q.pdf pdf_icon

IXFX32N80Q3

VDSS ID25 RDS(on) IXFK 32N50Q HiPerFETTM IXFX 32N50Q 500 V 32 A 0.16 Power MOSFETs 500 V 32 A 0.16 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M

 7.2. Size:124K  ixys
 ixfk32n90p ixfx32n90p.pdf pdf_icon

IXFX32N80Q3

Advance Technical Information PolarTM HiPerFETTM VDSS = 900V IXFK32N90P Power MOSFETs ID25 = 32A IXFX32N90P RDS(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFX27N80Q , IXFX30N100Q2 , IXFX30N110P , IXFX320N17T2 , IXFX32N100P , IXFX32N100Q3 , IXFX32N50 , IXFX32N80P , AO3407 , IXFX360N10T , IXFX360N15T2 , IXFX38N80Q2 , IXFX40N90P , IXFX420N10T , IXFX44N50F , IXFX44N50Q , IXFX44N80P .

 

 
Back to Top

 


 
.