3SK113G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3SK113G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.08 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm

Тип корпуса: TO131

Аналог (замена) для 3SK113G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3SK113G даташит

 8.1. Size:55K  1
 3sk113.pdf pdf_icon

3SK113G

 9.1. Size:125K  1
 3sk101 3sk102 3sk114 3sk115.pdf pdf_icon

3SK113G

Другие IGBT... 3SK108, 3SK108Q, 3SK108R, 3SK108S, 3SK108T, 3SK111, 3SK113, 3SK113F, 18N50, 3SK113H, 3SK113J, 3SK114, 3SK115, 3SK122, 3SK123, 3SK123AK, 3SK123AL