Справочник MOSFET. IXFX78N50P3

 

IXFX78N50P3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFX78N50P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX78N50P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  ixys
 ixfk78n50p3 ixfx78n50p3.pdf pdf_icon

IXFX78N50P3

Preliminary Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFK78N50P3Power MOSFETs ID25 = 78AIXFX78N50P3 RDS(on) 68m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeGDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 500 V TabVDGR TJ = 25C

 9.1. Size:127K  ixys
 ixfx74n50p2 ixfk74n50p2.pdf pdf_icon

IXFX78N50P3

Advance Technical InformationPolarP2TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFK74N50P2Power MOSFET ID25 = 74AIXFX74N50P2 RDS(on) 77m trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264 (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 150C 500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: TMD7N65Z | SPP08N50C3 | HM5N60F | GSM7002K | H5N2001LD | IPP80N08S2-07 | 30N06G-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.