IXFX78N50P3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFX78N50P3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm

Тип корпуса: PLUS247

Аналог (замена) для IXFX78N50P3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX78N50P3 даташит

 ..1. Size:133K  ixys
 ixfk78n50p3 ixfx78n50p3.pdf pdf_icon

IXFX78N50P3

Preliminary Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFK78N50P3 Power MOSFETs ID25 = 78A IXFX78N50P3 RDS(on) 68m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V Tab VDGR TJ = 25 C

 9.1. Size:127K  ixys
 ixfx74n50p2 ixfk74n50p2.pdf pdf_icon

IXFX78N50P3

Advance Technical Information PolarP2TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFK74N50P2 Power MOSFET ID25 = 74A IXFX74N50P2 RDS(on) 77m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-264 (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS

Другие IGBT... IXFX64N50P, IXFX64N50Q3, IXFX64N60P, IXFX64N60P3, IXFX64N60Q3, IXFX66N50Q2, IXFX73N30Q, IXFX74N50P2, MMIS60R580P, IXFX80N50P, IXFX80N50Q3, IXFX80N60P3, IXFX88N20Q, IXFX94N50P2, IXFX98N50P3, IXFZ140N25T, IXFZ520N075T2