IXFX80N50Q3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFX80N50Q3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: PLUS247

Аналог (замена) для IXFX80N50Q3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX80N50Q3 даташит

 5.1. Size:230K  ixys
 ixfk80n50p ixfx80n50p.pdf pdf_icon

IXFX80N50Q3

IXFK 80N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFX 80N50P ID25 = 80 A Power MOSFET RDS(on) 65 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSM Transient

Другие IGBT... IXFX64N60P, IXFX64N60P3, IXFX64N60Q3, IXFX66N50Q2, IXFX73N30Q, IXFX74N50P2, IXFX78N50P3, IXFX80N50P, AO4407A, IXFX80N60P3, IXFX88N20Q, IXFX94N50P2, IXFX98N50P3, IXFZ140N25T, IXFZ520N075T2, IXKC13N80C, IXKC15N60C5