Справочник MOSFET. IXFX80N50Q3

 

IXFX80N50Q3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFX80N50Q3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX80N50Q3 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:230K  ixys
 ixfk80n50p ixfx80n50p.pdf pdf_icon

IXFX80N50Q3

IXFK 80N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 80N50P ID25 = 80 APower MOSFET RDS(on) 65 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSM Transient

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTHL080N120SC1 | IRFP453R | AO4821 | 2N4338 | SI1402DH | IXFT28N50F | IRFB13N50APBF

 

 
Back to Top

 


 
.