IXFX98N50P3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFX98N50P3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: PLUS247

Аналог (замена) для IXFX98N50P3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX98N50P3 даташит

 9.1. Size:197K  ixys
 ixfk90n60x ixfx90n60x.pdf pdf_icon

IXFX98N50P3

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFK90N60X Power MOSFET ID25 = 90A IXFX90N60X RDS(on) 38m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264P (IXFK) Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V D Tab VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 600 V S VGSS

 9.2. Size:135K  ixys
 ixfk94n50p2 ixfx94n50p2.pdf pdf_icon

IXFX98N50P3

Polar2TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFK94N50P2 Power MOSFET ID25 = 94A IXFX94N50P2 RDS(on) 55m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode G Symbol Test Conditions Maximum Ratings D S VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V Tab VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V VGSS Continuous 30 V PLUS247 (IXFX) VGSM Tr

 9.3. Size:125K  ixys
 ixfx90n30 ixfk90n30.pdf pdf_icon

IXFX98N50P3

IXFX 90N30 VDSS = 300 V HiPerFETTM IXFK 90N30 ID25 = 90 A Power MOSFETs RDS(on) = 33 m Single MOSFET Die trr 250 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V (TAB) G VGS Continuous 20 V D VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C (MOSFET chip capabi

 9.4. Size:52K  ixys
 ixfx90n20q ixfk90n20q.pdf pdf_icon

IXFX98N50P3

HiPerFETTM IXFX 90N20Q VDSS = 200 V IXFK 90N20Q ID25 = 90 A Power MOSFETs RDS(on) = 22 m Q-CLASS Single MOSFET Die trr s 200 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dV/dt, Low trr PLUS 247TM (IXFX) Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFX73N30Q, IXFX74N50P2, IXFX78N50P3, IXFX80N50P, IXFX80N50Q3, IXFX80N60P3, IXFX88N20Q, IXFX94N50P2, IRF730, IXFZ140N25T, IXFZ520N075T2, IXKC13N80C, IXKC15N60C5, IXKC19N60C5, IXKC20N60C, IXKC23N60C5, IXKC25N80C