Справочник MOSFET. IXFX98N50P3

 

IXFX98N50P3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFX98N50P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXFX98N50P3

 

 

IXFX98N50P3 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:197K  ixys
 ixfk90n60x ixfx90n60x.pdf

IXFX98N50P3 IXFX98N50P3

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFK90N60XPower MOSFET ID25 = 90AIXFX90N60X RDS(on) 38m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264P (IXFK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 600 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 600 VSVGSS

 9.2. Size:135K  ixys
 ixfk94n50p2 ixfx94n50p2.pdf

IXFX98N50P3 IXFX98N50P3

Polar2TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFK94N50P2Power MOSFET ID25 = 94AIXFX94N50P2 RDS(on) 55m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeGSymbol Test Conditions Maximum RatingsDSVDSS TJ = 25C to 150C 500 VTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continuous 30 VPLUS247 (IXFX)VGSM Tr

 9.3. Size:125K  ixys
 ixfx90n30 ixfk90n30.pdf

IXFX98N50P3 IXFX98N50P3

IXFX 90N30 VDSS = 300 VHiPerFETTMIXFK 90N30 ID25 = 90 APower MOSFETsRDS(on) = 33 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TMVDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 300 V(TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C (MOSFET chip capabi

 9.4. Size:52K  ixys
 ixfx90n20q ixfk90n20q.pdf

IXFX98N50P3 IXFX98N50P3

HiPerFETTM IXFX 90N20Q VDSS = 200 VIXFK 90N20Q ID25 = 90 APower MOSFETs RDS(on) = 22 mQ-CLASSSingle MOSFET Die trr s 200 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dV/dt, Low trrPLUS 247TM (IXFX)Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB)GDVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top