3SK113J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: 3SK113J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.08 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
   Тип корпуса: TO131
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам