3SK113J MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 3SK113J
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.08 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
Тип корпуса: TO131
3SK113J Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... 3SK108R , 3SK108S , 3SK108T , 3SK111 , 3SK113 , 3SK113F , 3SK113G , 3SK113H , 8N60 , 3SK114 , 3SK115 , 3SK122 , 3SK123 , 3SK123AK , 3SK123AL , 3SK125P , 3SK125Q .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918