IXFZ140N25T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFZ140N25T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 445 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: DE475

Аналог (замена) для IXFZ140N25T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFZ140N25T даташит

No data!

Другие IGBT... IXFX74N50P2, IXFX78N50P3, IXFX80N50P, IXFX80N50Q3, IXFX80N60P3, IXFX88N20Q, IXFX94N50P2, IXFX98N50P3, IRFZ44N, IXFZ520N075T2, IXKC13N80C, IXKC15N60C5, IXKC19N60C5, IXKC20N60C, IXKC23N60C5, IXKC25N80C, IXKC40N60C