Справочник MOSFET. IXKH24N60C5

 

IXKH24N60C5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXKH24N60C5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 390 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXKH24N60C5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKH24N60C5 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие MOSFET... IXKC15N60C5 , IXKC19N60C5 , IXKC20N60C , IXKC23N60C5 , IXKC25N80C , IXKC40N60C , IXKF40N60SCD1 , IXKH20N60C5 , IRF1404 , IXKH30N60C5 , IXKH35N60C5 , IXKH47N60C , IXKH70N60C5 , IXKK85N60C , IXKN40N60C , IXKN45N80C , IXKN75N60C .

History: IXKH20N60C5

 

 
Back to Top

 


 
.