Справочник MOSFET. IXTA05N100

 

IXTA05N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA05N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 710 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 17 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA05N100 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:185K  ixys
 ixta05n100hv.pdf pdf_icon

IXTA05N100

VDSS = 1000VIXTA05N100HVHigh VoltageID25 = 750mAIXTA05N100Power MOSFET RDS(on) 17 IXTP05N100N-Channel Enhancement ModeTO-263HV (IXTA)Avalanche RatedGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 AA (IXTA)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VVGSS Continuous 30 V GS

 9.1. Size:177K  ixys
 ixty08n100d2-ixta08n100d2-ixtp08n100d2.pdf pdf_icon

IXTA05N100

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelTO-252 (IXTY)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 AA (IXTA)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGSPD TC = 25C60 WD (Tab)TJ -

 9.2. Size:270K  ixys
 ixty08n100d2 ixta08n100d2 ixtp08n100d2.pdf pdf_icon

IXTA05N100

Depletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelDTO-252 (IXTY)GSGD (Tab)STO-263 AA (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSX TJ = 25C to 150C 1000 VSD (Tab)VGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VTO-220AB (IXTP)PD TC = 25C60 WTJ

 9.3. Size:186K  ixys
 ixta08n100d2hv.pdf pdf_icon

IXTA05N100

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSX = 1000VIXTA08N100D2HVDepletion Mode ID(on) > 800mAMOSFET RDS(on) 21 N-ChannelTO-263HVGSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVDGX TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VG = Gate D = DrainVGSX Continuous 20 VS = Source Tab = Drain

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IPB80N08S2-07 | ITA08N65R | APT50M65B2FLL | ZVP3310ASTZ | FTK7N65P | KIA2906A-247 | 2N6798U

 

 
Back to Top

 


 
.