IXTA08N50D2 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXTA08N50D2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTA08N50D2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXTA08N50D2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA08N50D2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:177K  ixys
 ixty08n50d2-ixta08n50d2-ixtp08n50d2.pdf pdf_icon

IXTA08N50D2

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 500VIXTY08N50D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N50D2 RDS(on) 4.6 IXTP08N50D2N-ChannelTO-252 (IXTY)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 AA (IXTA)VDSX TJ = 25C to 150C 500 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGSPD TC = 25C60 WD (Tab)TJ - 55

 7.1. Size:177K  ixys
 ixty08n100d2-ixta08n100d2-ixtp08n100d2.pdf pdf_icon

IXTA08N50D2

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelTO-252 (IXTY)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 AA (IXTA)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGSPD TC = 25C60 WD (Tab)TJ -

 7.2. Size:270K  ixys
 ixty08n100d2 ixta08n100d2 ixtp08n100d2.pdf pdf_icon

IXTA08N50D2

Depletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelDTO-252 (IXTY)GSGD (Tab)STO-263 AA (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSX TJ = 25C to 150C 1000 VSD (Tab)VGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VTO-220AB (IXTP)PD TC = 25C60 WTJ

 7.3. Size:186K  ixys
 ixta08n100d2hv.pdf pdf_icon

IXTA08N50D2

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSX = 1000VIXTA08N100D2HVDepletion Mode ID(on) > 800mAMOSFET RDS(on) 21 N-ChannelTO-263HVGSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVDGX TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VG = Gate D = DrainVGSX Continuous 20 VS = Source Tab = Drain

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXKR40N60C , IXKR47N60C5 , IXTA05N100 , IXTA05N100P , IXTA06N120P , IXTA08N100D2 , IXTA08N100P , IXTA08N120P , SPP20N60C3 , IXTA100N04T2 , IXTA102N15T , IXTA10N60P , IXTA10P15T , IXTA10P50P , IXTA110N055P , IXTA110N055T , IXTA110N055T2 .

History: TK25V60X5 | SSB65R600S2 | JCS2N95RA | AFP2337A | IXTA08N120P | JCS16N25VC | SPP11N60CFD

 

 
Back to Top

 


 
.