IXTA180N085T - аналоги и даташиты транзистора

 

IXTA180N085T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTA180N085T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 430 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXTA180N085T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA180N085T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  ixys
 ixta180n085t ixtp180n085t.pdf pdf_icon

IXTA180N085T

Preliminary Technical InformationIXTA180N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTP180N085T ID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 5.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 T

 0.1. Size:197K  ixys
 ixta180n085t7.pdf pdf_icon

IXTA180N085T

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTA180N085T7TrenchMVTMID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 5.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

 5.1. Size:108K  ixys
 ixta180n055t ixtp180n055t ixtq180n055t.pdf pdf_icon

IXTA180N085T

Advance Technical InformationIXTQ 180N055T VDSS = 55 VTrench GateIXTA 180N055T ID25 = 180 APower MOSFETIXTP 180N055T RDS(on) = 4.0 mN-Channel Enhancement ModeTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VD(TAB)SVGSM 20 VTO-220 (IXTP)ID25 TC = 25C 180 AIDRM

 6.1. Size:197K  ixys
 ixta180n10t7.pdf pdf_icon

IXTA180N085T

PreliminaryTechnical InformationVDSS = 100 VIXTA180N10T7TrenchMVTMID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 6.4 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 V1ID25 TC = 25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTA160N04T2 , IXTA160N075T , IXTA160N075T7 , IXTA160N085T , IXTA160N10T , IXTA160N10T7 , IXTA16N50P , IXTA170N075T2 , RU6888R , IXTA180N085T7 , IXTA180N10T , IXTA180N10T7 , IXTA182N055T , IXTA182N055T7 , IXTA18P10T , IXTA1N100P , IXTA1N120P .

 

 
Back to Top

 


 
.