Справочник MOSFET. IXTA180N10T7

 

IXTA180N10T7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA180N10T7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA180N10T7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  ixys
 ixta180n10t7.pdf pdf_icon

IXTA180N10T7

PreliminaryTechnical InformationVDSS = 100 VIXTA180N10T7TrenchMVTMID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 6.4 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 V1ID25 TC = 25

 3.1. Size:154K  ixys
 ixta180n10t ixtp180n10t.pdf pdf_icon

IXTA180N10T7

IXTA180N10T VDSS = 100VTrenchMVTMIXTP180N10T ID25 = 180APower MOSFET RDS(on) 6.4m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VTO-220 (IXTP)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 100 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 180 AILRMS Lead Cur

 6.1. Size:197K  ixys
 ixta180n085t7.pdf pdf_icon

IXTA180N10T7

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTA180N085T7TrenchMVTMID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 5.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

 6.2. Size:108K  ixys
 ixta180n055t ixtp180n055t ixtq180n055t.pdf pdf_icon

IXTA180N10T7

Advance Technical InformationIXTQ 180N055T VDSS = 55 VTrench GateIXTA 180N055T ID25 = 180 APower MOSFETIXTP 180N055T RDS(on) = 4.0 mN-Channel Enhancement ModeTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VD(TAB)SVGSM 20 VTO-220 (IXTP)ID25 TC = 25C 180 AIDRM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTA160N085T , IXTA160N10T , IXTA160N10T7 , IXTA16N50P , IXTA170N075T2 , IXTA180N085T , IXTA180N085T7 , IXTA180N10T , IRF9540N , IXTA182N055T , IXTA182N055T7 , IXTA18P10T , IXTA1N100P , IXTA1N120P , IXTA1N80 , IXTA1N80P , IXTA1R4N100P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.