Справочник MOSFET. IXTA182N055T

 

IXTA182N055T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA182N055T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 182 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXTA182N055T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA182N055T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  ixys
 ixta182n055t ixtp182n055t.pdf pdf_icon

IXTA182N055T

Preliminary Technical InformationIXTA182N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTP182N055T ID25 = 182 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25 T

 0.1. Size:203K  ixys
 ixta182n055t7.pdf pdf_icon

IXTA182N055T

Preliminary Technical InformationVDSS = 55 VIXTA182N055T7TrenchMVTMID25 = 182 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

 8.1. Size:197K  ixys
 ixta180n085t7.pdf pdf_icon

IXTA182N055T

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTA180N085T7TrenchMVTMID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 5.5 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

 8.2. Size:197K  ixys
 ixta180n10t7.pdf pdf_icon

IXTA182N055T

PreliminaryTechnical InformationVDSS = 100 VIXTA180N10T7TrenchMVTMID25 = 180 APower MOSFET RDS(on) 6.4 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 V1ID25 TC = 25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTA160N10T , IXTA160N10T7 , IXTA16N50P , IXTA170N075T2 , IXTA180N085T , IXTA180N085T7 , IXTA180N10T , IXTA180N10T7 , IRF2807 , IXTA182N055T7 , IXTA18P10T , IXTA1N100P , IXTA1N120P , IXTA1N80 , IXTA1N80P , IXTA1R4N100P , IXTA1R4N120P .

History: PMCXB1000UE | APT56F60B2 | CJW1012 | DMN24H3D5L | AP9936GM-HF | SIE808DF | SSM3J305T

 

 
Back to Top

 


 
.