Справочник MOSFET. IXTA1N100P

 

IXTA1N100P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTA1N100P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 750 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXTA1N100P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA1N100P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  ixys
ixta1n100p ixtp1n100p.pdfpdf_icon

IXTA1N100P

Advance Technical InformationIXTA 1N100P VDSS = 1000 VPolarHVTMIXTP 1N100P ID25 = 1.2 APower MOSFETRDS(on) = 13 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VGVGS Continuous 20 VS(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C

 ..2. Size:202K  inchange semiconductor
ixta1n100p.pdfpdf_icon

IXTA1N100P

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IXTA1N100PFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 5.1. Size:535K  ixys
ixta1n100 ixtp1n100.pdfpdf_icon

IXTA1N100P

VDSS = 1000 VIXTA 1N100High Voltage MOSFETIXTP 1N100 ID25 = 1.5 A RDS(on) = 11 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Energy RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 30 VD (TAB)GVGSM Transient 40 VDSID25 TC = 25C 1.5 AIDM TC =

 7.1. Size:238K  ixys
ixta1n170dhv ixth1n170dhv.pdfpdf_icon

IXTA1N100P

Advance Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1700VIXTA1N170DHVMOSFET ID(on) > 1AIXTH1N170DHV RDS(on) 16 N-ChannelTO-263HV (IXTA)GS D (Tab)TO-247HV (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSX TJ = 25C to 150C 1700 VVDGX TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1700 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 V

Другие MOSFET... IXTA170N075T2 , IXTA180N085T , IXTA180N085T7 , IXTA180N10T , IXTA180N10T7 , IXTA182N055T , IXTA182N055T7 , IXTA18P10T , K2611 , IXTA1N120P , IXTA1N80 , IXTA1N80P , IXTA1R4N100P , IXTA1R4N120P , IXTA1R6N100D2 , IXTA1R6N50D2 , IXTA200N055T2 .

 

 
Back to Top

 


 
.